快乐彩票平台注册 |学术动态

首页 >> 学术动态 >> 正文

快乐彩票平台注册 |化学化工学院王来国副教授作“几种纳米复合氧化物阻变器件的▓原子层沉积制备及其存储特性和忆阻功能的▓研究”学术报告

发布单位:   发布日期:2019-12-17

12月15日下午,化学化工学院王来国副教授在教学楼C-310作了一场题为“几种纳米复合氧化物阻变器件的▓原子层沉积制备及其存储特性和忆阻功能的▓研究”的▓学术讲座,2016级和2017级材料化学专业部分同学参加了此次讲座。

王博士从信息存储材料的▓分类及目前的▓研究现状出发,引出下一代非易失性存储器的▓有力竞争者——阻变存储器(RRAM),并对其结构构造、信息存储机理、研究现状、发展瓶颈进行了讲解。报告主要先容了原子层沉积技术制备几种新型纳米复合氧化物RRAM器件的▓方法,对这几种RRAM器件的▓工艺参数、微结构与存储性能之间的▓关系进行了深入地讲解,在此基础上对最优化的▓器件性能的▓阻变机制进行了阐释。报告重点就两种HfO2基的▓双层忆阻器件及其在生物神经突触功能模拟,包括神经突触的▓非线性传输性能、可塑性以及学习记忆行为等方面,进行了深入浅出的▓阐述。最后,结合其近期的▓科研工作,先容了信息存储研究未来的▓工作方向和重点。

王来国副教授的▓学术讲座深入浅出、通俗易懂,同时又紧密联系学科前沿。报告会结束后,还就信息存储材料的▓保固时间、信息存取速度、人工智能材料的▓现状等问题以及同学们关心的▓其它问题进行了深入的▓交流和探讨。通过本次学术讲座,加深了同学们对材料科学前沿探索的▓兴趣,开阔了材料化学专业同学未来从事科学研究的▓视野,也对学好本科阶段课程的▓重要性有了更为深刻的▓认识。

版权所有: 2020 快乐彩票官网、快乐彩票平台注册

官方网址:www.masajkursu.net

【www.masajkursu.net】 快乐彩票官网-快乐彩票平台注册
Baidu
sogou
XML 地图 | Sitemap 地图